田中 智晴 | (株)東芝 メモリ事業部
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概要
関連著者
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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丹沢 徹
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
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中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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百冨 正樹
株式会社東芝半導体デバイス技術研究所
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百冨 正樹
東芝メモリ事業部メモリ技術第一部
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丹沢 徹
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
著作論文
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- NAND型フラッシュメモリの多値化の検討
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- フラッシュメモリの安定な書込みパルス発生回路の設計