渡辺 重佳 | 株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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概要
関連著者
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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渡辺 重佳
(株)東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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村岡 裕明
東北大学電気通信研究所
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高島 大三郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岡本 好弘
愛媛大学工学部
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
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大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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仁田山 晃寛
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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稗田 克彦
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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高東 宏
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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須之内 一正
株式会社東芝研究開発センター
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堀口 文男
株式会社東芝半導体事業本部
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原 央
株式会社東芝研究開発センター
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三浦 義正
富士通(株) ストレージプロダクト事業本部
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仲谷 文雄
富士ゼロックス株式会社開発生産統括本部
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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守山 義明
パイオニア株式会社総合研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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稗田 克彦
東芝アメリカ電子部品
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原 央
株式会社 東芝 研究開発センター
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吉見 信
株式会社東芝セミコンダクター社
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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西山 彰
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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水野 智久
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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百冨 正樹
株式会社東芝半導体デバイス技術研究所
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百冨 正樹
東芝メモリ事業部メモリ技術第一部
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大島 英男
Nhk技術局
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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堀口 文男
東芝
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三浦 義正
富士通株式会社
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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沼澤 潤二
NHK技術局
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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花谷 慎二
ソニー株式会社 厚木テクノロジーセンター
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北浦 担
松下電器産業株式会社 光ディスク開発センター
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山澤 亮
富士ゼロックス株式会社 PDS事業本部
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吉見 信
SOITEC Asia
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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仲谷 文雄
富士ゼロックス(株)dpsc研究開発センター
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仲谷 文雄
富士ゼロックス株式会社研究技術開発本部
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仲谷 文雄
富士ゼロックス(株)
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守山 義明
パイオニア(株)総合研究所
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守山 義明
パイオニア株式会社 総合研究所
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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仲谷 文雄
富士ゼロックス 研究技術開発本部
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大脇 幸人
株式会社東芝
著作論文
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- 1-3画像情報記録(映像情報メディア年報)
- 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの設計法
- 5.半導体メモリー(映像情報メディア記録システム)
- TISを用いたギガビットDRAMの設計法
- 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法