大脇 幸人 | 株式会社東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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鴨志田 昌弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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鴨志田 昌弘
(株)東芝SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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太田 雅子
東芝セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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國島 巌
株式会社東芝セミコンダクター社
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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吉田 尊
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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松原 玄宗
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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大脇 幸人
株式会社東芝
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首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
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国島 巌
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹中 博幸
(株)東芝マイクロエレクトロニクス
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田中 真一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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川口谷 ひとみ
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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国島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
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田中 真一
(株)東芝
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吉田 晋一
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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高島 大三郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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畝川 康夫
株式会社東芝
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宮下 大輔
株式会社東芝soc研究開発センター
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小林 弘幸
株式会社東芝SoC研究開発センター
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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山城 遼
株式会社東芝
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橋吉 和典
東芝マイクロエレクトロニクス
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香西 昌平
株式会社東芝
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宮下 大輔
株式会社東芝
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター
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首藤 容子
(株)東芝 ULSI研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社
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尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
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山川 晃司
株式会社東芝セミコンダクター社
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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高島 大三部
(株)東芝ULSI研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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仁田山 晃寛
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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稗田 克彦
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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高東 宏
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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須之内 一正
株式会社東芝研究開発センター
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堀口 文男
株式会社東芝半導体事業本部
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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原 央
株式会社東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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稗田 克彦
東芝アメリカ電子部品
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原 央
株式会社 東芝 研究開発センター
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吉岡 晋一
(株)東芝
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香西 昌平
株式会社東芝soc研究開発センター
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堀口 文男
東芝
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
著作論文
- 高速アナログ/ディジタル回路用高精度疑似飽和BJTモデル
- 8Mb Chain Ferroelectric Memory〔和文〕 (特集 メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- 時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)