首藤 晋 | (株)東芝セミコンダクター社

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概要

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• (株)東芝セミコンダクター社の論文著者

関連著者

• 首藤 晋

  (株)東芝セミコンダクター社

• 国島 巌

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 國島 巌

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 田中 真一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 田中 真一

  (株)東芝

• 國島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社

• 竹中 博幸

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 國島 巌

  (株)東芝ulsi研究所

• 大脇 幸人

  (株)東芝 ULSI研究所

• 宮川 正

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金谷 宏行

  (株)東芝セミコンダクター社

• 日高 修

  (株)東芝セミコンダクター社

• 宮川 正

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大脇 幸人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 国島 巌

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹中 博幸

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 大脇 幸人

  (株)東芝soc研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 金谷 宏行

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 国島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山川 晃司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 尾崎 徹

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大槻 純人

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 田中 寿実夫

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 山川 晃司

  (株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター

• 國島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 田中 寿実夫

  (株)東芝マイクロエレクトロクス技術研究所

• 田中 寿実夫

  (株)東芝

• 竹内 義昭

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 白武 慎一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 荻原 隆

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 玖村 芳典

  (株)東芝セミコンダクター社

• 下城 義朗

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山田 有紀

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山崎 壮一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 白武 慎一郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 竹内 義昭

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 荻原 隆

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 伊藤 寧夫

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 伊藤 寧夫

  Starc(半導体理工学研究センター):東芝マイクロエレクトロニクス

• 伊藤 寧夫

  (株)東芝セミコンダクター社

• 滋賀 秀裕

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 橋本 大輔

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 山川 晃司

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 真野 須弥子

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 森本 豊太

  (株)東芝

• 金谷 宏之

  (株)東芝

• 宮川 正

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 竹中 博幸

  東芝マイクロエレクトロニクス

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター

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著作論文

• 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
• 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
• 高速、高密度Chain FRAMの設計
• Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
• 2層Al配線を用いた1Mビット強誘電体メモリー技術

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