宮川 正 | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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宮川 正
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
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宮川 正
(株)東芝セミコンダクター社
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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白武 慎一郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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荻原 隆
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
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首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
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国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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國島 巌
(株)東芝ulsi研究所
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竹内 義昭
株式会社東芝セミコンダクター社
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穂谷 克彦
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社
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尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
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金谷 宏行
(株)東芝セミコンダクター社
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日高 修
(株)東芝セミコンダクター社
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白武 慎一郎
(株)東芝セミコンダクター社
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大槻 純人
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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竹内 義昭
(株)東芝SoC研究開発センター
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荻原 隆
(株)東芝SoC研究開発センター
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國島 巌
株式会社東芝セミコンダクター社
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滋賀 秀裕
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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橋本 大輔
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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山川 晃司
(株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター
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金谷 宏行
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター
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滋賀 秀裕
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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高島 大三郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福田 良
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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滝澤 亮介
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松岡 史宜
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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長冨 靖
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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橋本 大輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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西村 久明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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日岡 健
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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堂前 須弥子
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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玖村 芳典
(株)東芝セミコンダクター社
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下城 義朗
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 有紀
(株)東芝セミコンダクター社
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山崎 壮一
(株)東芝セミコンダクター社
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浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
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及川 恒平
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター新規メモリ設計技術開発部
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穂谷 克彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター新規メモリ設計技術開発部
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鴨志田 昌弘
(株)東芝SoC研究開発センター
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ヨアヒム ハンス・オリバー
Infenion Technologies Japan K. K.
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レーム ノルベルト
Infenion Technologies Japan K. K.
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ボールファールト ヨルグ
Infenion Technologies Japan K. K.
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ヤーコブ ミヒャエル
Infenion Technologies Japan K. K.
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レール トマス
Infenion Technologies Japan K. K.
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田中 真一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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伊藤 寧夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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伊藤 寧夫
Starc(半導体理工学研究センター):東芝マイクロエレクトロニクス
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伊藤 寧夫
(株)東芝セミコンダクター社
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山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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ヨアヒム ハンス・オリバー
(株)インフィニオンテクノロジーズジャパン
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田中 寿実夫
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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真野 須弥子
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮川 正
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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田中 寿実夫
(株)東芝マイクロエレクトロクス技術研究所
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス
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田中 真一
(株)東芝
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田中 寿実夫
(株)東芝
著作論文
- FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R](メモリ技術)
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ