可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
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概要
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0.5μmCMOSプロセスを用いて3V動作, アクセス時間160nsの1T1C型の1Mビット強誘電体メモリを開発した。これは, ファティーグや温度依存性の無いリファレンスキャパシタの採用と, メモリセルの特性ばらつきに応じて電位設定可能な可変リファレンス回路や, データ検出余裕を従来比4桁向上したダブルワード線パルス回路などの新技術で大容量化と信頼性の向上を実現したもの。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-28
著者
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竹内 義昭
株式会社東芝セミコンダクター社
-
宮川 正
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
荻原 隆
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
-
首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
-
日高 修
(株)東芝セミコンダクター社
-
宮川 正
(株)東芝セミコンダクター社
-
大槻 純人
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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竹内 義昭
(株)東芝SoC研究開発センター
-
荻原 隆
(株)東芝SoC研究開発センター
-
國島 巌
株式会社東芝セミコンダクター社
-
田中 真一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
伊藤 寧夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
伊藤 寧夫
Starc(半導体理工学研究センター):東芝マイクロエレクトロニクス
-
伊藤 寧夫
(株)東芝セミコンダクター社
-
田中 寿実夫
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
真野 須弥子
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
國島 巌
(株)東芝ulsi研究所
-
田中 寿実夫
(株)東芝マイクロエレクトロクス技術研究所
-
竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス
-
田中 真一
(株)東芝
-
田中 寿実夫
(株)東芝
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