高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
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概要
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DRAM並みの高速アクセスを実現出来る新しい不揮発性メモリChain FRAMを提案し、その技術検証のためl6Kビットテストチップを試作評価した。従来型のFRAMと比較して、86%のチップ面積にFRAMとしては世界最高速の37nsのランダムアクセス時間を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-28
著者
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
國島 巌
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
国島 巌
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹中 博幸
(株)東芝マイクロエレクトロニクス
-
田中 真一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
国島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
-
田中 真一
(株)東芝
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