TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたギガビットDRAMのゲート絶縁膜信頼性の解析
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概要
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メモリセルのトランスファーゲートトランジスタだけでなくロウデコーダ等のコア回路部分にTISを導入したギガビットDRAMのゲート絶縁膜信頼性の向上効果を定量的に見積もった.TISの導入により,DRAMを構成するトランジスタの信頼性を従来の平面トランジスタを用いた場合と比較して約1.5世代分改善できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-25
著者
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