基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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概要
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携帯情報機器の使用時間を延ばすためには使用しているLSIの消費電力を低減する必要がある。LSIの消費電力は電源電圧の2乗に比例するため、電源電圧の低減が最も低消費電力化に効果がある。我々は以前トランジスタのしきい値が基板電圧が高くなると低下し、基板電圧が逆に低くなるとしきい値が上昇する性質を利用し、SOI技術を用いてトランジスタ毎に基板を分離してボディ電位を制御する基板電位制御型SOI技術を提案した。この提案ではゲートとボディを接続する事により0.5Vと非常に低い電源電圧でLSIが高速に動作出来る可能性を示した。 しかしながら具体的な回路設計法は必ずしも明かではなく、電源電圧を0.8V以上に上げるとドレインとボディ間にリーク電流が流れるという問題がある。これらの課題を解決するため、負荷容量に応じた基本回路の最適設計手法及び広い電源電圧範囲で安定動作させるための昇圧型接地電位方式を新たに開発し、その有効性を32ビットALUで技術検証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
鴨志田 昌弘
(株)東芝SoC研究開発センター
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
鴨志田 昌弘
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
太田 雅子
東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
-
布施 常明
東芝セミコンダクター社
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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