寺内 衛 | 東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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概要
関連著者
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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吉見 信
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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東芝セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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鴨志田 昌弘
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(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝研究開発センター
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東芝 研究開発センター
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝 ULSI研究所
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有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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松永 準一
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渡辺 重佳
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渡辺 重佳
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山田 敬
東芝研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社
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川中 繁
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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岡田 多佳子
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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西山 彰
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株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 健
(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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川中 繁
東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部
著作論文
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- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性