竹野 史郎 | (株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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概要
関連著者
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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小池 三夫
(株)東芝
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東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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山崎 貴司
富士通研究所
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山崎 貴司
東理大理
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上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
著作論文
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- 分析電子顕微鏡による半導体材料の評価