Abe Kazuhide | Research And Development Center Toshiba Corporation

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Research And Development Center Toshiba Corporationの論文著者

関連著者

• 阿部 和秀

  (株)東芝 研究開発センター

• 阿部 和秀

  東芝・総合研究所

• Abe Kazuhide

  Material And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation

• Abe Kazuhide

  Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R&amo;d Center Toshiba Corporation

• Abe Kazuhide

  Research And Development Center Toshiba Corporation

• Abe Kazuhide

  Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation

• 阿部 和秀

  (株)東芝研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 阿部 和秀

  (株)東芝

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 小松 周一

  (株)東芝 研究開発センター

• 川久保 隆

  (株)東芝総合研究所

• 川久保 隆

  (株)東芝材料デバイス研究所

• 中村 新一

  (株)東芝研究開発センター

• 小松 周一

  (株)東芝総合研究所

• 泉 守

  (株)東芝

• 中村 新一

  (株)東芝 研究開発センター

• IZUHA Mitsuaki

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• Izuha Mitsuaki

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

• 阿部 和秀

  東芝、研究開発センター

• Fukushima N

  Corporate Research & Development Center Toshiba Corporation

• 川久保 隆

  東芝リサーチ・コンサルティング株式会社

• 斉藤 史郎

  (株)東芝

• 西垣 亨彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 長野 利彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 板谷 和彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 福島 伸

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• Hieda Katsuhiko

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

• 竹野 史郎

  株式会社東芝研究開発センター

• 中村 新一

  株式会社東芝研究開発センター

• 阿部 和秀

  株式会社東芝研究開発センター

• 小松 周一

  株式会社東芝研究開発センター

• 梁瀬 直子

  (株)東芝材料デバイス研究所

• 佐野 賢也

  (株)東芝材料デバイス研究所

• 中村 新一

  東芝 研開セ

• 中村 新一

  (株)東芝

• Aoyama T

  Toshiba Corp. Yokohama Jpn

• Aoyama T

  Hitachi Ltc. Ibaraki Jpn

• 小池 三夫

  (株)東芝

• 福島 伸

  東芝 研開セ

• ABE Kazuhide

  Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• FUKUSHIMA Noburu

  Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• ABE Kazuhide

  Materials and Devices Research Labs., R&D Center, Toshiba Corporation

• FUKUSHIMA Noburu

  Materials and Devices Research Labs., R&D Center, Toshiba Corporation

• Aoyama Tomonori

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

• 小池 三夫

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• NIWA Shoko

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• KIYOTOSHI Masahiro

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• YAMAZAKI Souichi

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• EGUCHI Kazuhiro

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• ARIKADO Tunetoshi

  Microelectronics Engineering Laboratory, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

• 齊藤 史郎

  東芝・総合研究所

• 福島 伸

  (株)東芝

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 出羽 光明

  (株)東芝

• Niwa Shoko

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

• Arikado T

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• 泉 守

  東芝・総合研究所

• Yamazaki S

  Toshiba Corp. Yokohama Jpn

• Eguchi K

  Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn

• Izumi Mamoru

  Research And Development Center Toshiba Corporation

• Saitoh S

  Toshiba Corp. Kanagawa

• Saitoh Shiroh

  Research And Development Center Toshiba Corporation

• Abe Kazuhide

  Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Abe Kazuhide

  Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R & D Center Toshiba Corporation

• IZUHA Mitsuaki

  Material and Devices Research Laboratories, R&D Center, Toshiba Corporation

• Komatsu Shuichi

  Materials And Devices Laboratory R & D Center Toshiba Corporation

• Komatsu Shuichi

  Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation

• Kiyotoshi Masahiro

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

• Arikado Tunetoshi

  Microelectronics Engineering Laboratory Semiconductor Company Toshiba Corporation

もっと見る 閉じる

著作論文

• 圧電駆動型RF-MEMS可変キャパシタの電気特性
• 半導体デバイス開発におけるTEMの活用 高誘電体膜の場合
• V. デバイス, デバイス材料
• (Ba,Sr)TiO_3膜のエピタキシャル成長と強誘電特性
• 積層形低インピ-ダンス超音波プロ-ブ
• Influence of Lattice Distortion and Oxygen Defects in BST Films for Memory Capacitors
• Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
• C-8 積層圧電体形超音波プローブ(超音波トランスジューサ)
• Electrical Properties of All-Perovskite Oxide (SrRuO_3/Ba_xSr_TiO_3/SrRuO_3) Capacitors
• (Ba,Sr) TiO_3系薄膜のエピタキシャル成長とその強誘電的特性
• 18pWE-2 強誘電体極薄膜の現状及びバルク物性との比較
• 18pWE-2 強誘電体極薄膜の現状及びバルク物性との比較
• 応力による格子歪みと強誘電性発現のメカニズム
• Crystallographic Orientation Dependence of Dielectric Constant in Epitaxially Grown SrTiO_3 Films
• A Low-Impedance Ultrasonic Probe Using a Multilayer Piezoelectric Ceramic : Ultrasonic Transduction
• Temperature Stability of a PBZMT Electrostrictive Ceramic : F: FERROELECTRIC MATERIALS

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク