福島 伸 | 東芝 研開セ
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概要
関連著者
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
東芝 研開セ
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福島 伸
(株)東芝
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安藤 健
環境技術研究所
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安藤 健
(株)東芝基礎研究所
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安藤 健
東芝 基礎研
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田中 成典
東芝 研究開発セ
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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福島 伸
東芝総研基礎研
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安藤 健
東芝総研基礎研
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田中 成典
東芝総研基礎研
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丹生 ひろみ
東芝総研基礎研
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吉木 昌彦
東芝RDC
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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伊藤 正行
名大院理
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伊藤 正行
千葉大理
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福島 伸
東芝基礎研
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芳野 久士
(株)東芝研究開発センタ一
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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田中 成典
東芝総研
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野村 俊自
(株)東芝研究開発センター機械・エネルギー研究所
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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村瀬 暁
(株)東芝
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中山 茂雄
(株)東芝
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清水 達雄
(株)東芝研究開発センター
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山田 穣
(株)東芝 研究開発センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高島 章
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西川 幸江
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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関根 克行
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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三谷 祐一郎
東芝
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阿部 和秀
(株)東芝 研究開発センター
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野村 俊自
東芝 総研
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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山口 豪
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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平野 泉
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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飯島 良介
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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三谷 祐一郎
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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中村 新一
(株)東芝 研究開発センター
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山田 穣
(株)東芝電力・産業システム技術開発センター
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丹生 ひろみ
(株)東芝総合研究所
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林 勝
(株)東芝研究開発センター環境技術・分析センター
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芳野 久士
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
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小池 三夫
(株)東芝
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鈴木 功
(株)東芝
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福島 伸
東芝RDC
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福島 伸
東芝 基礎研
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吉木 昌彦
東芝 基礎研
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田中 成典
東芝基礎研究所
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吉木 昌彦
東芝基礎研究所
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安藤 健
東芝基礎研究所
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竹野 史朗
東芝総研
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竹野 史郎
東芝総研基礎研究所
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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伊藤 正行
名大理
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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玉谷 正昭
(株)東芝総合研究所
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福島 伸
東芝総合研究所
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丹生 ひろみ
東芝総合研究所
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中村 新一
東芝総合研究所
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竹野 史郎
東芝総合研究所
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安藤 健
東芝総合研究所
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村瀬 暁
東北大学
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
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玉谷 正昭
(株)東芝
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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出羽 光明
(株)東芝
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清水 達雄
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高島 章
東芝
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阿部 和秀
東芝・総合研究所
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林 勝
(株)東芝総合研究所
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Abe Kazuhide
Material And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R&amo;d Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Research And Development Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
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阿部 和秀
(株)東芝研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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阿部 和秀
(株)東芝
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鈴木 功
(株)東芝総合研究所
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小山 正人
(株)東芝
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芳野 久士
(株)東芝 研究開発センター
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 27a-ZK-8 Sr_v_nO_系における^V核のNMR
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 30a-PS-35 Au/SrTiO_3界面のX線電子分光
- 4p-YD-12 Bi系銅酸化物の変調構造緩和による金属絶縁体転移
- 1a-J-3 Sr_La_xVO_4の電子状態
- 新しい酸化物高温超電導体の探索
- 29p-PS-81 新しいSr-V-O層状酸化物の構造と磁気特性
- 28a-APS-15 Sr-V-O層状ペロブスカイトの構造と磁気異常
- 24a-K-4 Sr_3V_2O_7の金属絶縁体転移
- LnBa_2Cu_3O_における希土類元素の混合効果
- 粉末および焼結体YBa_2Cu_3O_の高温における相安定性と微細構造変化
- Bi_Pb_xSr_2CaCu_2O_及びBi_Pb_ySr_2YCu_2O_
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造