富田 充裕 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センター
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西川 幸江
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
松永 秀樹
(株)東芝総合研究所
-
竹中 みゆき
(株)東芝環境技術研究所
-
小池 三夫
(株)東芝
-
福島 伸
東芝 研開セ
-
田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
-
土屋 憲彦
(株)東芝
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
土屋 憲彦
(株)東芝半導体材料事業部
-
福島 伸
(株)東芝
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
松永 秀樹
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所材料応用技術センター
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
東芝
-
井野 恒洋
東芝
-
田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定