加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
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概要
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半導体材料であるシリコンウェハーの深さ方向に分布する超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の定量法を加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法を用いて検討した.試料を硝酸とフッ化水素酸の混酸で漸次溶解させる条件を設定し, エッチング厚さを0.01〜10μmまで適宜変化させることが可能となった.既知濃度のイオン注入ウェハーを用い, SIMSによる深さ方向のプロフィルを本法の結果と比較検討したところ, 金属濃度の分布曲線は良い一致を示した.本法の各元素の検出限界は, 最大エッチング厚さ10μmとした場合, Cr及びFeで0.01ng/g(8×10^<11>atoms/cm^3), Ni及びCuで0.005ng/g(4×10^<11>atoms/cm^3)である.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1994-02-05
著者
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
松永 秀樹
(株)東芝総合研究所
-
竹中 みゆき
(株)東芝環境技術研究所
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
土屋 憲彦
(株)東芝
-
土屋 憲彦
(株)東芝半導体材料事業部
-
松永 秀樹
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所材料応用技術センター
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