259 イオンインプランテーション起因のシリコン転位の発生・進展過程の転位動力学解析(欠陥,OSO7 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価)
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概要
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- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2006-11-02
著者
-
泉 聡志
東京大学大学院工学系研究科
-
酒井 信介
東大工
-
泉 聡志
東大工
-
木村 成竹
東京大学大学院工学系研究科
-
小林 尚司
東大院:(現)新日鉄ソリューソンズ
-
木村 成竹
東大院
-
土屋 憲彦
(株)東芝
-
木村 成竹
東京大学大学院工学糸研究科
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