高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー上超微量リン及びチタンの定量
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概要
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半導体製造工程におけるP及びTiの相互汚染を評価するため, 気相分解法と高分解能ICP-MSによる定量方法を検討した. Siウェハー上のSi酸化膜を気相分解法により分解した後, 0.1mlの溶液中に回収し, 条件を最適化したMCNにより導入した. 四重極型ICP-MSで問題となる溶媒及びSiマトリックスに起因する質量スペクトル干渉は, 質量分解能を5000に設定し測定することで除去できた. ディップ法あるいはマイクロドロップ法で強制汚染したウェハーを用いて, 添加回収率を確認した. Tiについて, TRXRFとの比較を行い良い一致を得た. 8インチウェハーを用いた場合の検出限界は, P及びTiについてそれぞれ3E+08及び6E+06 atoms/cm^2であり, 実際の半導体デバイス製造工程での評価が可能となった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2001-06-05
著者
-
山田 裕司
株式会社東芝研究開発センター
-
嶋崎 綾子
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
嶋崎 綾子
(株)東芝セミコンダクター社
-
小塚 祥二
(株)東芝総合研究所
-
竹中 みゆき
(株)東芝環境技術研究所
-
山田 裕司
(株)東芝環境技術研究所
-
立部 哲也
株式会社東芝研究開発センター
-
小塚 祥二
株式会社東芝研究開発センター
-
立部 哲也
(株)東芝研究開発センター
-
竹中 みゆき
(株)東芝
-
嶋崎 綾子
(株)東芝 セミコンダクター社
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