誘導結合プラズマ発光分光法による半導体銅配線用窒化タンタル膜の高精度組成定量法及び蛍光X線分析法への応用
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概要
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半導体次世代Cu配線用材料の一つである窒化タンタル膜(TaN)の組成評価法を,湿式試料溶解法を用いて検討した.試料をHFとHClで180℃,2時間加圧分解後,Taは誘導結合プラズマ発光分析法,Nはネスラー吸光光度法により定量し,同一溶液からの定量が可能となった.また,確立した溶解法で値付けした試料を蛍光X線分析法の標準試料へと適用し,化学分析値との誤差1%以内で高精度に,且つ迅速(化学分析法の1/20以下)に定量可能となった.本方法を実試料へ展開した結果,ウェハー面内での組成変動が明らかとなり,工程評価法として適用可能であることを示した.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2003-06-05
著者
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林 勝
株式会社東芝研究開発センター
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竹中 みゆき
(株)東芝環境技術研究所
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竹中 みゆき
株式会社東芝研究開発センター
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小沼 雅敬
株式会社東芝研究開発センター
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矢吹 元央
株式会社東芝研究開発センター
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林 勝
株式会社東芝 環境技術研究所
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