沈殿分離/誘導結合プラズマ質量分析法及び黒鉛炉原子吸光法による半導体強誘電体メモリー用金属酸化物薄膜中の超微量不純物元素の定量
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概要
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半導体強誘電体不揮発性メモリーに用いられる強誘電体キャパシタ膜[PbZr_xTi_<(1-x)>O_3, SrBi_2Ta_2O_9]及び導電性酸化物電極膜[SrRuO_3]中の超微量金属不純物元素を定量するため,測定上の問題となる主成分を沈殿分離又は揮散分離し,不純物成分をICP-MS及びETAASで定量する手法を検討した.マトリックス成分の沈殿物生成特性や揮発性を利用した分離を検討した結果,試料を酸分解後,過塩素酸を添加して乾固し,その水溶液に硫酸を添加して乾固させることにより,マトリックス成分の80〜99%を沈殿分解又は揮散除去できることを確認した.その結果, Al, Co, Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Ni, Zn, Na及びK等の不純物成分を1×10^<10〜12>atoms/cm^2レベルで定量することが可能になった.
- 2003-06-05
著者
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