気相分解/黒鉛炉原子吸光法による半導体薄膜の超微量成分分析(<特集>品質管理・工程管理のための分析化学)

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概要

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• 気相分解を利用した汚染の少ない試料溶解法と黒鉛炉AASとを組み合わせて,半導体薄膜(SiO_2やSi_3N_4)中のNa,K,Feなどの金属成分を10^<-13>g/cm^2レベルまで検出可能とした.試料分解容器はすべてテフロン製で,密閉容器とこれに酸蒸発用ビーカー,ウエハーキャリア,分解液受け皿を入れたもので構成している.Si基板に薄膜を形成させた試料ウエハーをキャリアに立てかけておき,常温で発生するフッ化水素酸蒸気によって薄膜のみを溶解する.その溶解液をマイクロピペットで全量回収した後,黒鉛炉AAS装置で測定する.本法は従来の直接酸分解/黒鉛炉AASと比較して約200倍高感度であり,二次イオン質量分析法や放射化分析法と比較しても高感度である.本法を超大規模集積回路(VLSI)用各種薄膜中の超微量成分分析に応用した.

• 社団法人日本分析化学会の論文
• 1988-11-05

著者

• 松永 秀樹

  (株)東芝総合研究所

• 松永 秀樹

  東芝(株)総合研究所材料応用技術センター

• 平手 直之

  東芝(株)総合研究所材料応用技術センター

• 平手 直之

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所材料応用技術センター

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