タングステンボート蒸発気化/誘導結合プラズマ発光分析法による半導体材料中のウラン,トリウムの定量(<特集>品質管理・工程管理のための分析化学)
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概要
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半導体材料料中の微量U,Thを高感度で分析するため,イオン交換分離法などの試料前処理法とタングステンボート蒸発気化/ICP-AESを組み合わせて行う方法を検討した.半導体封止材料のエポキシ樹脂,酸化アンチモン,シリカ粉末及びLSI電極材料のMo,Wは,それぞれ化学前処理後,最後は陰イオン交換分離によってマトリックスを完全に除去する.これより一定容分取して,タングステンボート上で蒸発気化させる.蒸発気化温度,ICP-AESにおける分析条件の最適化を図ることにより0.1ppbレベルのU,Thの迅速な分析が可能になった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1988-11-05
著者
-
岡田 章
日本大学理工学部建築学科
-
岡田 章
社団法人日本分析化学会有害金属成分分析用汚染土壌認証標準物質作製委員会:株式会社テルム環境エンジニアリング本部
-
岡田 章
(株)東芝研究開発センター環境技術・分析センター
-
岡田 章
(株)東芝総合研究所
-
平手 直之
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所材料応用技術センター
-
平手 直之
(株)東芝総合研究所
-
平手 直之
(株)東芝研究開発センタ-環境技術研究所
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