小山 正人 | 東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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井野 恒洋
東芝
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長友 浩二
東芝
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鎌田 善己
東芝
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小野 瑞城
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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東 篤志
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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長友 浩二
東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
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小池 三夫
(株)東芝
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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清水 達雄
(株)東芝研究開発センター
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高島 章
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西川 幸江
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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須黒 恭一
(株)東芝
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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井野 恒弘
東芝
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上牟田 雄一
東芝
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小山 正人
東芝
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西山 彰
東芝
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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土屋 義規
東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
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青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
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合瀬 路博
(株)東芝
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本郷 智恵
(株)東芝
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福島 伸
東芝 研開セ
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田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
(株)東芝
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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清水 達雄
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高島 章
東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝
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田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)