木下 敦寛 | (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

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• 古賀 淳二

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• 木下 敦寛

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• 内田 建

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• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 内田 建

  東芝研究開発センター (株)東芝

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 土屋 義則

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• 八木下 淳史

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• 吉木 昌彦

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• 小山 正人

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• 土屋 義規

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• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 小山 正人

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• 西山 彰

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著作論文

• Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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