土屋 義規 | (株)東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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東芝セミコンダクター社
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(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東京工業大学大学院総合理工学研究科
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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長友 浩二
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東 篤志
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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辰村 光介
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長友 浩二
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中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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(株)東芝 研究開発センター
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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(株)東芝セミコンダクター社
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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土屋 義規
東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
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青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
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木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)