中嶋 一明 | 東芝 セミコンダクター社
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概要
関連著者
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長友 浩二
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
徳島大学外科
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
(株)東芝
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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東 篤志
東芝
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松岡 史倫
東芝
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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尾本 誠一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小澤 良夫
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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岡山 康則
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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大石 周
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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小野 高稔
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中山 和宏
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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渡辺 竜太
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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英保 亜弓
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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菰田 泰生
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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木村 泰己
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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竹川 陽一
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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齋藤 正樹
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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岩井 正明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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松岡 史倫
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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矢野 博之
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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八木下 淳史
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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村越 篤
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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南幅 学
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松井 之輝
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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HIEDA Katsuhiko
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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有門 経敏
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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奥村 勝弥
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東芝
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野町 映子
東芝
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小野田 裕之
東芝
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吉水 康人
東芝
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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有門 経敏
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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奥村 勝弥
東京大学先端科学技術研究センター
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後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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小澤 良夫
株式会社東芝
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
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福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
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野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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齋藤 友博
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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犬宮 誠冶
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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村越 篤
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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赤坂 泰志
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小澤 良夫
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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南幅 学
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松井 之輝
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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尾本 誠一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢野 博之
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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HIEDA Katsuhiko
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
有門 経敏
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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奥村 勝弥
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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佐々木 俊行
東芝
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青田 正司
東芝
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樋浦 洋平
(株)東芝 デバイス技術研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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赤坂 泰志
(株)東芝
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赤坂 泰志
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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須黒 恭一
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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末広 信太郎
東芝北九州工場
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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須黒 恭一
(株)東芝
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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長谷川 俊介
東芝
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北村 陽介
東芝
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高畑 和宏
東芝
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岡本 浩樹
東芝
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宮下 桂
東芝
-
石田 達也
東芝
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原川 秀明
東芝
-
石塚 竜嗣
東芝
-
小向 敏章
東芝
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三本木 省次
東芝
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中塚 圭祐
東芝
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西郡 正人
東芝
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小川 竜二
東芝
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岡本 晋太郎
東芝
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岡野 公俊
東芝
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沖 知普
東芝
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佐竹 正城
東芝
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鈴木 陽子
東芝
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内海 邦明
東芝
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渡部 忠兆
東芝
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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永原 誠司
NEC Electronics Corporation
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
-
鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
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田中 聖康
NEC Electronics Corporation
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谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
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富永 誠
NEC Electronics Corporation
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筒井 元
NEC Electronics Corporation
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渡辺 普
NEC Electronics Corporation
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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中村 典生
NEC Electronics Corporation
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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石原 貴光
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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犬宮 誠治
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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中嶋 一明
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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金子 明生
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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木下 敦寛
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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北野 友久
日本電気(株)
著作論文
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 最近の展望 メタルゲート技術の最近の展望
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術