中山 武雄 | 東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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概要
関連著者
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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宮下 桂
東芝
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中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝
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宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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小野田 裕之
東芝
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東 篤志
東芝
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
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猪原 正弘
東芝
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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猪原 正弘
東芝セミコンダクターカンパニー
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本多 健二
東芝セミコンダクターカンパニー
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮下 桂
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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吉村 尚郎
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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中山 武雄
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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君島 秀樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡本 和之
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤田 悟
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大谷 寛
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森藤 英治
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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五十嵐 弘文
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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三宅 慎一
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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平井 友洋
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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木下 功一
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森本 寿喜
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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姜 帥現
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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西村 尚志
プロセス技術推進センター
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東 篤志
半導体研究開発センター
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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佐々木 俊行
東芝
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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青田 正司
東芝
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中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長谷川 俊介
東芝
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北村 陽介
東芝
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高畑 和宏
東芝
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岡本 浩樹
東芝
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石田 達也
東芝
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福島 崇
東芝
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原川 秀明
東芝
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石塚 竜嗣
東芝
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小向 敏章
東芝
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長友 浩二
東芝
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三本木 省次
東芝
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中塚 圭祐
東芝
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西郡 正人
東芝
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野町 映子
東芝
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小川 竜二
東芝
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岡本 晋太郎
東芝
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岡野 公俊
東芝
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沖 知普
東芝
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佐竹 正城
東芝
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鈴木 陽子
東芝
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内海 邦明
東芝
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渡部 忠兆
東芝
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吉水 康人
東芝
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相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
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刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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永原 誠司
NEC Electronics Corporation
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
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岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
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鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
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田中 聖康
NEC Electronics Corporation
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谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
-
富永 誠
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
渡辺 普
NEC Electronics Corporation
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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中村 典生
NEC Electronics Corporation
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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北野 友久
日本電気(株)
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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成瀬 宏
東芝
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西郡 正人
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中山 武雄
東芝
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鈴木 昭弘
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
内藤 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小野塚 健
コバレントマテリアル株式会社
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上野 芳弘
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
石本 康実
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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鍾 ウェイ丞
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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Madurawe Raminda
readyASlC Inc.
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Wu Sheldon
China International Intellectual Property Services Ltd.
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池田 修二
tei Solutions Inc.
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小島 健嗣
東芝
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森藤 英治
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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本多 健二
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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三本木 省二
東芝
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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池田 修二
readyASlC Inc.
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親松 尚人
China International Intellectual Property Services Ltd.
著作論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
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- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)