藤原 実 | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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東 篤志
東芝
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大内 和也
SoC研究開発センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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宮下 桂
東芝
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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佐々木 貴彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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藤原 実
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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中村 新一
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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清水 敬
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝
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富田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社
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大塚 伸朗
(株)東芝 Soc研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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大塚 伸朗
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
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石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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辻井 秀二
株式会社東芝
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井納 和美
株式会社東芝
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
宮下 桂
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
吉村 尚郎
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
中山 武雄
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
-
谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
(株)東芝
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス