柴田 英紀 | (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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概要
関連著者
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
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(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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広島国際大学社会環境科学部
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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森 伸二
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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能見 菜穂子
(株)東芝 ULSI研究所
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井上 郁子
(株)東芝セミコンダクター社
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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古川 章彦
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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昆 隆夫
(株)東芝
著作論文
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- プリプロセス形CCDイメージセンサ : 画素加算形1/3インチ16万画素CCD撮像素子 : 情報入力
- 3-12 a-Si膜積層型CCDイメージセンサーの残像特性
- 容量性残像のない200万画素PSID : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス