東 篤志 | 東芝セミコンダクター社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
東 篤志
東芝
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
宮下 桂
東芝
-
長友 浩二
東芝
-
小野田 裕之
東芝
-
松岡 史倫
東芝
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
大内 和也
SoC研究開発センター
-
森 伸二
プロセス技術推進センター
-
小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
-
市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
長友 浩二
東芝セミコンダクター社
-
中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
-
関根 克行
東芝セミコンダクター社
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
東芝
-
猪原 正弘
東芝
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
-
松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
-
清水 敬
プロセス技術推進センター
-
矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
西村 尚志
プロセス技術推進センター
-
東 篤志
半導体研究開発センター
-
楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
-
石内 秀美
(株)東芝
-
佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
-
佐々木 俊行
東芝
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
青田 正司
東芝
-
樋浦 洋平
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
-
赤坂 泰志
(株)東芝
-
中嶋 一明
(株)東芝
-
中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
-
成瀬 宏
東芝株式会社
-
長谷川 俊介
東芝
-
北村 陽介
東芝
-
高畑 和宏
東芝
-
岡本 浩樹
東芝
-
石田 達也
東芝
-
福島 崇
東芝
-
原川 秀明
東芝
-
石塚 竜嗣
東芝
-
小向 敏章
東芝
-
三本木 省次
東芝
-
中塚 圭祐
東芝
-
西郡 正人
東芝
-
野町 映子
東芝
-
小川 竜二
東芝
-
岡本 晋太郎
東芝
-
岡野 公俊
東芝
-
沖 知普
東芝
-
佐竹 正城
東芝
-
鈴木 陽子
東芝
-
内海 邦明
東芝
-
渡部 忠兆
東芝
-
吉水 康人
東芝
-
平井 友洋
NEC Electronics Corporation
-
相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
-
岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
-
刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
-
村松 諭
NEC Electronics Corporation
-
永原 誠司
NEC Electronics Corporation
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
-
岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
-
鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
-
田上 政由
NEC Electronics Corporation
-
竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
-
田中 聖康
NEC Electronics Corporation
-
谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
-
富永 誠
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
渡辺 普
NEC Electronics Corporation
-
北野 友久
NEC Electronics Corporation
-
後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
-
中村 典生
NEC Electronics Corporation
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
-
北野 友久
日本電気(株)
-
成瀬 宏
東芝
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
著作論文
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- ポリメタルゲート電極技術
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- メタルゲートトランジスタの性能検証