宮下 桂 | (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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概要
関連著者
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宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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宮下 桂
東芝
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中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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小野田 裕之
東芝
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東 篤志
東芝
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松岡 史倫
東芝
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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西村 尚志
プロセス技術推進センター
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東 篤志
半導体研究開発センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 デバイス技術研究所
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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圷 晴子
(株)東芝
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須黒 恭一
(株)東芝
著作論文
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現