安達 甘奈 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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概要
関連著者
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東芝
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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安達 甘奈
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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大島 康礼
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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井谷 孝治
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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安達 甘奈
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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宮田 俊敬
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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東芝
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
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- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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