玉置 直樹 | (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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概要
関連著者
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玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
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玉置 直樹
(株)東芝研究開発センター
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立田 真一
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 裕輔
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 裕輔
東芝研究開発センター
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佐藤 裕輔
(株)東芝
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江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小宮山 宏
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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大内 和也
SoC研究開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
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江頭 靖幸
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
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江頭 靖幸
東京大学工学部
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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小宮山 宏
東京大学工学部
著作論文
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- DSMC法を用いたCVDステップカバレッジシミュレーションの高速化
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