宮野 清孝 | 東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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概要
関連著者
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
(株)東芝
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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富田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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江口 和弘
(株)東芝
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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杉崎 絵美子
株式会社東芝研究開発センター
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宮田 俊敬
株式会社東芝研究開発センター
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大島 康礼
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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安達 甘奈
株式会社東芝研究開発センター
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宮野 清孝
株式会社東芝研究開発センター
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稲葉 聡
株式会社東芝研究開発センター
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井谷 孝治
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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大島 康礼
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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井谷 孝治
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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安達 甘奈
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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宮田 俊敬
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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太田 和伸
ソニー株式会社
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
横山 孝司
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
-
岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
大石 周
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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藤井 修
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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猪熊 英幹
プロセス技術推進センター
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江田 健太郎
プロセス技術推進センター
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伊高 利昭
プロセス技術推進センター
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宮島 秀史
プロセス技術推進センター
-
岩佐 誠一
プロセス技術推進センター
-
山崎 博之
プロセス技術推進センター
-
松尾 浩司
プロセス技術推進センター
-
永野 元
プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
プロセス技術推進センター
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鈴木 隆志
プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
-
堀内 淳
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
-
佐喜 和朗
プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
プロセス技術推進センター
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斎藤 正樹
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
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加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
-
馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
-
大野 圭一
ソニー株式会社
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伊高 利昭
(株)東芝セミコンダクター社
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樋浦 洋平
(株)東芝 デバイス技術研究所
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赤坂 泰志
(株)東芝
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中嶋 一明
(株)東芝
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赤坂 泰志
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
須黒 恭一
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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末広 信太郎
東芝北九州工場
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東 篤志
東芝
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松岡 史倫
東芝
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藤井 修
(株)東芝 セミコンダクター社 システムlsi デバイス技術開発部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
樋浦 洋平
(株)東芝
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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藤井 修
(株)東芝
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)