大石 周 | (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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概要
関連著者
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 周
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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大野 圭一
ソニー株式会社
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松岡 史倫
東芝
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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太田 和伸
ソニー株式会社
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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横山 孝司
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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藤井 修
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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猪熊 英幹
プロセス技術推進センター
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江田 健太郎
プロセス技術推進センター
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伊高 利昭
プロセス技術推進センター
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宮島 秀史
プロセス技術推進センター
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岩佐 誠一
プロセス技術推進センター
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山崎 博之
プロセス技術推進センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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松尾 浩司
プロセス技術推進センター
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永野 元
プロセス技術推進センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
プロセス技術推進センター
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鈴木 隆志
プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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堀内 淳
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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佐喜 和朗
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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斎藤 正樹
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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笠井 邦弘
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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吉村 尚朗
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大野 圭一
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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斎藤 正樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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長島 直樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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野口 達夫
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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伊高 利昭
(株)東芝セミコンダクター社
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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藤井 修
(株)東芝 セミコンダクター社 システムlsi デバイス技術開発部
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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藤井 修
(株)東芝
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笠井 邦弘
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
著作論文
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))