笠井 邦弘 | (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

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• 佐貫 朋也

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• 岡山 康則

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• 菰田 泰生

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• 岩井 正明

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• 長島 直樹

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• 大野 圭一

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• 斎藤 正樹

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• 長島 直樹

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• 野口 達夫

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• 川崎 博久

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• 松岡 史倫

  東芝

• 神田 昌彦

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• 深浦 康弘

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• 磯辺 和亜樹

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• 野原 晴男

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• 門馬 好広

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著作論文

• チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 90nm世代におけるSoC向け高集積混載SRAM技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)

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