長島 直樹 | ソニー株式会社
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概要
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長島 直樹
ソニー株式会社
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ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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田川 幸雄
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萩本 賢哉
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ソニー(株)
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松岡 史倫
東芝
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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安藤 崇志
ソニー(株)
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大島 享介
ソニー株式会社
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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藤田 繁
ソニー株式会社
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山本 雄一
ソニー(株)
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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舘下 八州志
ソニー(株)
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宮波 勇樹
ソニー(株)
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釘宮 克尚
ソニー(株)
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若林 整
ソニー(株)
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塚本 雅則
ソニー(株)
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舘下 八州志
ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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太田 和伸
ソニー株式会社
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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岡山 康則
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大石 周
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小野 高稔
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中山 和宏
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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渡辺 竜太
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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英保 亜弓
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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菰田 泰生
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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木村 泰己
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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竹川 陽一
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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齋藤 正樹
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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岩井 正明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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松岡 史倫
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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加藤 孝義
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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檜山 進
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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Wang J.
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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山中 真由美
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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寺内 佐苗
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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館下 八州志
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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斉藤 正樹
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山崎 崇
ソニー株式会社
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岩本 俊幸
NECエレクトロニクス株式会社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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木村 泰巳
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大島 亮介
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
ソニー株式会社
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新山 卓
ソニー株式会社
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手塚 友樹
ソニー株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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長岡 弘二郎
ソニー株式会社
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村松 諭
NECエレクトロニクス株式会社
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三本木 省二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉田 健司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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斉藤 正樹
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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成瀬 宏
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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桑田 孝明
NECエレクトロニクス株式会社
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大石 周
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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黛 哲
ソニー(株)
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山川 真弥
ソニー(株)
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中田 征志
ソニー(株)
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押山 到
ソニー(株)
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田中 和樹
ソニー(株)
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小川 浩二
ソニー(株)
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生田 哲也
ソニー(株)
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片岡 豊隆
ソニー(株)
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菊池 善明
ソニー(株)
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松本 良輔
ソニー(株)
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藤田 繁
ソニー(株)
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山根 千種
ソニー(株)
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木村 忠之
ソニー(株)
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大地 朋和
ソニー(株)
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齋藤 正樹
ソニー(株)
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野口 達夫
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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吉田 毅
九州大学医学部附属病院放射線科
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松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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土生 真理子
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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臼井 孝公
(株)東芝セミコンダクター社
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蜂谷 貴世
東芝
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金村 龍一
ソニー
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蜂谷 貴世
東芝セミコンダクターカンパニー
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金村 龍一
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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岡本 裕
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc プロセス開発部
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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藤井 修
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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猪熊 英幹
プロセス技術推進センター
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江田 健太郎
プロセス技術推進センター
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伊高 利昭
プロセス技術推進センター
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宮島 秀史
プロセス技術推進センター
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岩佐 誠一
プロセス技術推進センター
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山崎 博之
プロセス技術推進センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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松尾 浩司
プロセス技術推進センター
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永野 元
プロセス技術推進センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
プロセス技術推進センター
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鈴木 隆志
プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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堀内 淳
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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佐喜 和朗
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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斎藤 正樹
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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笠井 邦弘
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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吉村 尚朗
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大野 圭一
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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斎藤 正樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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長島 直樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉田 毅
広島大学先端物質科学研究科
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伊高 利昭
(株)東芝セミコンダクター社
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉田 毅
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
著作論文
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)