東郷 光洋 | NECエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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最上 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
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山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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坂本 圭司
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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小山 晋
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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松田 友子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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藤原 秀二
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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永瀬 正俊
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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江崎 達也
広島大学
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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中村 英達
NECシリコンシステム研究所
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江崎 達也
NECシリコンシステム研究所
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岩本 敏幸
NECシリコンシステム研究所
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藤田 繁
ソニー株式会社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山崎 崇
ソニー株式会社
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩本 俊幸
NECエレクトロニクス株式会社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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木村 泰巳
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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大島 亮介
ソニー株式会社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
ソニー株式会社
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新山 卓
ソニー株式会社
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手塚 友樹
ソニー株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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長岡 弘二郎
ソニー株式会社
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村松 諭
NECエレクトロニクス株式会社
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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三本木 省二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉田 健司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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斉藤 正樹
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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成瀬 宏
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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桑田 孝明
NECエレクトロニクス株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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大島 享介
ソニー株式会社
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECシステムデバイス研究所
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深井 利憲
NECシステムデバイス研究所
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真壁 昌里子
NECエレクトロニクスプロセス技術事業部
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後藤 啓郎
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山本 豊二
NECシステムデバイス研究所
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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松岡 史倫
東芝
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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成瀬 宏
東芝
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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相川 恒
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小野 春彦
日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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小野 春彦
NECシリコンシステム研
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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三本木 省二
東芝
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NECシリコンシステム研究所
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羽根 正巳
NECシリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
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羽根 正巳
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
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山本 豊二
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
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最上 徹
NEC Corporation
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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三宅 慎一
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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深井 利憲
NEC、シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NEC、シリコンシステム研究所
-
保国 裕美
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
国宗 依信
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
小野田 中
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
山夕 貴子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
工藤 智彦
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
深井 利憲
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
Nec
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五十嵐 信行
Necシリコンシステム研
-
上沢 兼一
NEC
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上沢 兼一
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
-
國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
-
中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
著作論文
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響