長谷川 英司 | Necエレクトロニクス(株)
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概要
関連著者
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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坂本 圭司
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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小山 晋
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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松田 友子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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藤原 秀二
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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永瀬 正俊
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECシステムデバイス研究所
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深井 利憲
NECシステムデバイス研究所
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NECエレクトロニクスプロセス技術事業部
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後藤 啓郎
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山本 豊二
NECシステムデバイス研究所
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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NEC エレクトロニクス(株)
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小山 正人
東芝
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
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長谷川 英司
日本電気(株)
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安藤 公一
日本電気(株)
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北方 誠
日本電気(株)
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江口 和弘
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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渡部 宏治
Necエレクトロニクス
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綱島 祥隆
(株)東芝
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小山 正人
(株)東芝
著作論文
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 再酸化窒化酸化膜の構造と電気特性