山縣 保司 | Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

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関連著者

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 坂本 圭司

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小山 晋

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 藤原 秀二

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 永瀬 正俊

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 山本 一郎

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 長谷川 英司

  Nec Electronics Corporation

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 最上 徹

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシステムデバイス研究所

• 深井 利憲

  NECシステムデバイス研究所

• 真壁 昌里子

  NECエレクトロニクスプロセス技術事業部

• 後藤 啓郎

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NECシステムデバイス研究所

• 刈谷 奈由太

  NEC Electronics Corporation

• 筒井 元

  NEC Electronics Corporation

• 後藤 啓郎

  NEC Electronics Corporation

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 筒井 元

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角田 一晃

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 刈谷 奈由太

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 秋山 豊

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 阿部 倫久

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 丸山 信也

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 深瀬 匡

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 君塚 直彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 安田 有里

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 岩本 敏幸

  NEC、システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  NEC、システムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NEC、システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NEC、システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC、システムデバイス研究所

• 今井 清隆

  NEC、システムデバイス研究所

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 筒井 元

  Necエレクトロニクス(株)

• 君塚 直彦

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 三宅 慎一

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 深井 利憲

  NEC、シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NEC、シリコンシステム研究所

• 保国 裕美

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 国宗 依信

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山夕 貴子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 工藤 智彦

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 谷川 高穂

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 白井 浩樹

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 杉村 啓世

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 和気 智子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 佐甲 隆

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 坂尾 眞人

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス

• 白井 浩樹

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)

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