45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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近年の微細LSIにおいてチャネル中の不純物ゆらぎに起因するランダムなしきい値電圧ばらつきが顕在化している。特に、45nm世代のSRAMはしきい値電圧ばらつきの影響を強くうけ、設計マージンがほとんどない状況に陥っている。本稿では、HfSiOxによる仕事関数制御を利用し、チャネル中の不純物濃度を低減する技術について述べる。不純物濃度を低減すると不純物ゆらぎによるしきい値電圧ばらつきを抑制できる一方、短チャネル効果が劣化し、S値ばらつきが増大する。これら2要因のトレードオフのもと、最適な仕事関数をわりだし、45nm世代のSRAMのしきい値電圧ばらつきを従来CMOS技術と比較して18%低減した。
- 2008-07-10
著者
-
今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
角田 一晃
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
刈谷 奈由太
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
秋山 豊
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
阿部 倫久
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
丸山 信也
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
深瀬 匡
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
鈴木 三恵子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
筒井 元
Necエレクトロニクス(株)
-
山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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