角田 一晃 | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

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概要

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• NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 筒井 元

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角田 一晃

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 阿部 倫久

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 丸山 信也

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 深瀬 匡

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 筒井 元

  Necエレクトロニクス(株)

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 刈谷 奈由太

  NEC Electronics Corporation

• 筒井 元

  NEC Electronics Corporation

• 刈谷 奈由太

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 秋山 豊

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 中村 英達

  Necエレクトロニクス(株)

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著作論文

• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• HfSiOx仕事関数制御による低待機時消費電力55nm CMOS技術

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