HfSiOx仕事関数制御による低待機時消費電力55nm CMOS技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-07-12
著者
-
筒井 元
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
角田 一晃
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
阿部 倫久
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
丸山 信也
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
深瀬 匡
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
中村 英達
Necエレクトロニクス(株)
-
筒井 元
Necエレクトロニクス(株)
関連論文
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfSiOx仕事関数制御による低待機時消費電力55nm CMOS技術