高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を適用した45nm世代システムLSIプラットフォーム技術に関し、その内容を報告する。適用技術としては、デザインルール縮小及びHDRSAMを実現するための高NA液浸リソグラフィ技術、短チャネル効果抑制及びMOSFET性能targetを達成するために、本世代で初めて適用されることとなったExtension後作りMOSFET integration、及びeSiGe, SMT, DSL等の各種ストレス技術が挙げられる。さらにBEOLに対しては配線容量低減(Keff=2.7)を目的としたポーラス低誘電率膜適用、信頼性向上を目的としたTi系バリアメタルをHybrid Dual-damascene構造に適用することで、45nm世代に必要十分な容量、信頼性、歩留まりを実現している。以下、上記に述べた技術項目に関して詳細を報告する。

• 2007-01-19

著者

• 大野 圭一

  ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 松尾 浩司

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 藤田 繁

  ソニー株式会社

• 山崎 博之

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 松本 拓治

  ソニー株式会社

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 吉田 健司

  東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 渡辺 竜太

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 岩本 敏幸

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 岩井 正明

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 松岡 史倫

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 山崎 崇

  ソニー株式会社

• 佐貫 朋也

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 岡山 康則

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 岩本 俊幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 藤巻 剛

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 木村 泰巳

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 渡辺 竜二

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 菰田 泰生

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 英保 亜弓

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 相川 恒

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 山口 理恵

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 森本 類

  ソニー株式会社

• 大島 亮介

  ソニー株式会社

• 横山 孝司

  ソニー株式会社

• 鉢峰 清太

  ソニー株式会社

• 十河 康則

  ソニー株式会社

• 志野 誠也

  ソニー株式会社

• 金井 貞夫

  ソニー株式会社

• 高橋 誠司

  ソニー株式会社

• 前田 英訓

  ソニー株式会社

• 岩田 敏彦

  ソニー株式会社

• 竹川 陽一

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 大石 要

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 深作 克彦

  ソニー株式会社

• 高須 靖夫

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 猪熊 英幹

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 松尾 浩二

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 中澤 正志

  ソニー株式会社

• 片桐 孝浩

  ソニー株式会社

• 中澤 圭一

  ソニー株式会社

• 新山 卓

  ソニー株式会社

• 手塚 友樹

  ソニー株式会社

• 香川 恵永

  ソニー株式会社

• 長岡 弘二郎

  ソニー株式会社

• 村松 諭

  NECエレクトロニクス株式会社

• 岩佐 誠一

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 三本木 省二

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 吉田 健司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 須之内 一正

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 岩井 正明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 斉藤 正樹

  ソニー株式会社

• 榎本 容幸

  ソニー株式会社

• 成瀬 宏

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 長島 直樹

  ソニー株式会社

• 桑田 孝明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 松岡 史倫

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 藤巻 剛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大野 圭一

  ソニー株式会社

• 大島 享介

  ソニー株式会社

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NEC Electronics Corporation

• 村松 諭

  NEC Electronics Corporation

• 古田 健司

  東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 松岡 史倫

  東芝

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 成瀬 宏

  東芝

• 相川 恒

  株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 佐貫 朋也

  株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 木村 泰己

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 三本木 省二

  東芝

• 須之内 一正

  (株)東芝セミコンダクター社

• 岩本 俊幸

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 松岡 史倫

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

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