Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• 配線の微細化に伴い、信頼性確保はより一層重要な課題となっている。また吸湿性の高い低誘電率絶縁膜の適用により、吸湿水分起因のバリアメタル酸化によるCuダマシン配線のSiV耐性の劣化が報告されている。我々はバリアメタルの酸化耐性、さらにはSiV、EMをはじめとした配線信頼性の観点より、Tiの優位性を示してきた。しかし配線微細化に伴う抵抗上昇がTiバリアメタル起因であることが判明したことにより、抵抗制御と高信頼化両立のためTi-rich TiNの適用をあらたに検討した結果、バリアメタルからのTi拡散が抑制され、配線中のCu粒径・配線抵抗がTaベースと同等であり、かつSiV耐性、EM耐性が高い配線を実現するに至った。

• 2009-02-02

著者

• 中村 直文

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 中村 直文

  (株)東芝セミコンダクター社

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部

• 山口 人美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部

• 坂田 敦子

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 羽多野 正亮

  (株)東芝セミコンダクター社

• 和田 純一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山田 雅基

  (株)東芝セミコンダクター社

• 蓮沼 正彦

  (株)東芝セミコンダクター社

• 坂田 敦子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山口 人美

  (株)東芝セミコンダクター社

• 藤巻 剛

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 藤巻 剛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 豊田 啓

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 加藤 賢

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大竹 由季恵

  (株)東芝ナノアナリシス

• Yano Y.

  Toshiba Nanoanalysis Corpration

• 川ノ上 孝

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山田 周輝

  (株)東芝セミコンダクター社

• 沖 知普

  (株)東芝セミコンダクター社

• 川ノ上 孝

  (株)東芝ulsi研究所

• 豊田 啓

  (株)東芝セミコンダクター社

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社

• 坂田 敦子

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

• 豊田 啓

  Toshiba Nanoanalysis Corpration

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