EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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本報告においては、EUVリングラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った。70nmピッチ配線を実現させるためには、低LERエッチングを可能にしたCF3Iエッチングガス、高いCu埋設性を有するPVD-Ruバリヤメタルのような技術が非常に重要である。これらの技術を用いることで、35nm配線において実効比抵抗4.5μΩcm、35nmビアにおいて12.4Ωという低抵抗が確認できた。また、高い機械的強度を有するポーラスシリカ(k=2.1)を用いた評価において、70nmピッチ配線においてもポーラスSiOC(k=2.65)に比べ13%の容量減少が確認できた。
- 2010-01-29
著者
-
小田 典明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
隣 真一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
曽田 栄一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
近藤 誠一
半導体先端テクノロジーズ
-
側瀬 聡文
東芝株式会社
-
塩原 守雄
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
近藤 誠一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
青山 肇
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)超微細sr露光技術研究室(pxl研究室)
-
森 一朗
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
細井 信基
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
側瀬 聡文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
青山 肇
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
田中 雄介
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
河村 大輔
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
垂水 喜明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
森 一朗
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
細井 信基
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
-
Aoyama Hajime
Fujitsu Laboratories Ltd.
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