高精度電子ビーム描画装置によるX線マスク描画特性
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概要
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最小加工寸法100nm以下の超微細加工を実現するための等倍X線リソグラフィ技術において最も重要な技術課題は, 位置精度, 寸法精度に高精度なX線マスクの作製技術であり, その作製には高精度なEB描画技術および(メンブレン)マスクプロセスが重要となる。本論文では、レジストプロセスを中心に100kV EB描画装置(EB-X3)を用いたX線マスク描画特性(解像性、近接効果、フォギング効果、CD精度、位置精度等)についての評価結果を報告する。本研究の結果4G-bit DRAM等の高集積パターン描画評価により, 100nm世代以降に必要とされる位置精度<10nm、寸法精度<8nm(いずれも3σ)を実現するX線マスク描画技術が確立された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-23
著者
-
青山 肇
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)超微細sr露光技術研究室(pxl研究室)
-
松井 安次
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
-
大木 茂久
Ntt 通信エネルギー研究所
-
青山 肇
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
Aoyama Hajime
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
菊池 幸子
超先端電子技術開発機構
-
菊池 幸子
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
-
松井 安次
超先端電子技術開発機構 厚木研セ
-
大木 茂久
NTT通信エネルギー研究所
-
江崎 瑞仙
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)超微細SR露光技術研究室(PXL研究室)
-
中山 義則
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)超微細SR露光技術研究室(PXL研究室)
-
坪井 伸二
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)超微細SR露光技術研究室(PXL研究室)
-
渡辺 寛
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)超微細SR露光技術研究室(PXL研究室)
-
両澤 哲男
NTT通信エネルギー研究所
-
高橋 進
NTTアドバンストテクノロジ
-
小田 政利
NTT通信エネルギー研究所
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