Ta/SiC X-Ray Mask

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概要

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• 等倍X線パソグラフィは0.15μm以下のデバイス作製における露光技術の一候補とされている。X線リソグラフィの中で最も重要な技術として、マスク作製が挙げられる。本報告では、0.15μm以下のX線マスク作製方法についてに述べる。マスク描画における、レジストパターンの形成において、線幅、接続精度を向上させるため、多重露光を検討した。また、レジストの薄膜化を行うことにより、解像性等を向上させた。吸収体パターンの形成では、エッチングマスクを適用することで、微細パターン形成が可能となった。これらの手法を用いることで、0.1μmのL/Sおよび、0.16μmのゲートパターンを有するX線マスクを作製した。

• 1995-10-19

著者

• 青山 肇

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)超微細sr露光技術研究室(pxl研究室)

• 青山 肇

  富士通研究所 ULSI研究部門

• 熊坂 文明

  富士通研究所 ULSI研究部門

• 射場 義人

  富士通研究所 ULSI研究部門

• 山部 正樹

  富士通研究所 ULSI研究部門

• 青山 肇

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• Aoyama Hajime

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 山部 正樹

  (株)富士通研究所

• 熊坂 文明

  (株)富士通研究所

• 射場 義人

  (株)富士通研究所

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