Ta_3Ge吸収体を用いた高精度X線マスク作製技術
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概要
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TaアモルファスX線吸収体を0.1μm寸法レベルパタンX線マスクに適用するために、その特性を調査し検討を行った。X線吸収率の観点から、Taに混入してアモルファス材料を形成する元素として、Geが最適である。そして、TaGeアモルファス膜に関して、応力制御性、応力安定性の観点から、20〜30%のGe含有率が最適であることがわかった。Ge含有率が25%のTa_3Geの応力値は、成膜後のアニール温度で制御が可能である。その制御性は0.56MPa/℃であり、各基板に対して±5MPa以内の応力値を得ることができた。Ta_3Ge吸収体の加工に関して、ヘリウム冷却機構を備えたICPエッチャーを利用した、メンブレン上での加工方法を開発した。このシステムで、0.1μm寸法レベルのTa_3Geを垂直形状に加工でき、61mmφの大面積メンブレン領域内で均一なエッチングレートが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20