中村 直文 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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依田 孝
(株)東芝セミコンダクター社
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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中村 直文
(株)東芝セミコンダクター社
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矢野 博之
東芝
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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矢野 博之
(株)東芝セミコンダクター社
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島山 努
ソニー(株)
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秋山 和隆
株式会社 東芝セミコンダクター社
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本多 健二
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小田 典明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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隣 真一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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曽田 栄一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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藤田 敬次
東芝
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伊藤 祥代
東芝
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蜂谷 貴世
東芝
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猪原 正弘
東芝
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上條 浩幸
東芝
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中田 錬平
東芝
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早坂 伸夫
東芝
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金村 龍一
ソニー
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門村 新吾
ソニー
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藤田 敬次
東芝セミコンダクターカンパニー
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伊藤 祥代
東芝セミコンダクターカンパニー
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田渕 清隆
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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蜂谷 貴世
東芝セミコンダクターカンパニー
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金村 龍一
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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上條 浩幸
東芝セミコンダクターカンパニー
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中田 錬平
東芝セミコンダクターカンパニー
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早坂 伸夫
東芝セミコンダクターカンパニー
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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側瀬 聡文
東芝株式会社
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羽多野 正亮
(株)東芝セミコンダクター社
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和田 純一
(株)東芝セミコンダクター社
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蓮沼 正彦
(株)東芝セミコンダクター社
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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島田 美代子
東芝株式会社
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門村 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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冨岡 和弘
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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野川 潤
NECエレクトロニクス(株)
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川島 由嗣
NECエレクトロニクス(株)
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林 遼
NECエレクトロニクス(株)
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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林 久貴
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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中村 直文
株式会社東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
株式会社東芝セミコンダクター社
-
和田 真
株式会社東芝セミコンダクター社
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上夏井 健
株式会社東芝セミコンダクター社
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渡邊 桂
株式会社東芝セミコンダクター社
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島田 美代子
(株)東芝セミコンダクター社
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
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小島 章弘
(株)東芝セミコンダクター社
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久保田 和宏
東京エレクトロンAT(株)
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浅子 竜一
東京エレクトロン(株)
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前川 薫
東京エレクトロン(株)
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大岩 徳久
(株)東芝セミコンダクター社
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宮島 秀史
東芝
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渡邉 桂
東芝
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秋山 和隆
東芝
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東 和幸
東芝
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中村 直文
東芝
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梶田 明広
東芝
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本多 健二
東芝
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柴田 英毅
東芝
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依田 孝
東芝
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田渕 清隆
ソニー
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島山 努
ソニー
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榎本 容幸
ソニー
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長谷川 利昭
ソニー
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宮島 秀史
東芝セミコンダクターカンパニー
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渡邉 桂
東芝セミコンダクターカンパニー
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島山 努
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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秋山 和隆
東芝セミコンダクターカンパニー
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東 和幸
東芝セミコンダクターカンパニー
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中村 直文
東芝セミコンダクターカンパニー
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梶田 明広
東芝セミコンダクターカンパニー
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松永 範昭
東芝セミコンダクターカンパニー
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榎本 容幸
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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猪原 正弘
東芝セミコンダクターカンパニー
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本多 健二
東芝セミコンダクターカンパニー
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矢野 博之
東芝セミコンダクターカンパニー
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長谷川 利昭
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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門村 新吾
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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柴田 英毅
東芝セミコンダクターカンパニー
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依田 孝
東芝セミコンダクターカンパニー
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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近藤 誠一
半導体先端テクノロジーズ
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塩原 守雄
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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近藤 誠一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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山田 雅基
(株)東芝セミコンダクター社
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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青山 肇
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)超微細sr露光技術研究室(pxl研究室)
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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香川 恵永
ソニー株式会社
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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矢野 博之
(株)東芝
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豊田 啓
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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加藤 賢
(株)東芝セミコンダクター社
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大竹 由季恵
(株)東芝ナノアナリシス
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Yano Y.
Toshiba Nanoanalysis Corpration
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川ノ上 孝
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 周輝
(株)東芝セミコンダクター社
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沖 知普
(株)東芝セミコンダクター社
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長谷川 利昭
ソニー厚木
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藤巻 剛
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
東 和幸
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
中村 直文
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
松永 範昭
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
吉田 健司
株式会社 東芝マイクロエレクトロニクス
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羽多野 正亮
株式会社 東芝セミコンダクター社
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蓮沼 正彦
株式会社 東芝セミコンダクター社
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和田 純一
株式会社 東芝セミコンダクター社
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西岡 岳
株式会社 東芝セミコンダクター社
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川島 寛之
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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長谷川 利昭
ソニー株式会社 半導体事業グループ
-
本多 健二
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
岩井 正明
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
山田 誠司
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
松岡 史倫
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
川ノ上 孝
(株)東芝ulsi研究所
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豊田 啓
(株)東芝セミコンダクター社
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榎本 容幸
ソニー(株)
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宮嶋 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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渡邊 桂
東芝株式会社
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亀嶋 隆季
ソニー株式会社
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増田 秀顕
東芝株式会社
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中村 直文
東芝株式会社
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宮島 秀史
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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森 一朗
(株)半導体先端テクノロジーズ
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
松岡 史倫
東芝
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細井 信基
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
側瀬 聡文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
青山 肇
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
田中 雄介
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
河村 大輔
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
垂水 喜明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
森 一朗
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
細井 信基
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
-
北野 友久
日本電気(株)
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成瀬 宏
東芝
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Aoyama Hajime
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
西岡 岳
(株)東芝セミコンダクター社
-
大岩 徳久
東芝セミコンダクター社
-
渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
中村 直文
株式会社 半導体先端テクノロジーズ
-
坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
-
松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
-
豊田 啓
Toshiba Nanoanalysis Corpration
-
小島 章弘
(株)東芝 半導体研究開発センター
-
島田 美代子
(株)東芝 半導体研究開発センター
著作論文
- 短TATシリル化ポーラス・シリカ(k=2.1)を用いた32nmノード対応Ultralow-k/Cuデュアルダマシン配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- ポーラス Low-k/Cu 配線におけるダメージ修復技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討(配線・実装技術と関連材料技術)