中尾 慎一 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
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島田 浩行
セイコーエプソン株式会社
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島田 浩行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中尾 慎一
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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小野 泰弘
東北大学大学院工学研究科
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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林 裕美
(株)東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
東芝
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小野 泰弘
元東北大工
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小野 泰弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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程 イ涛
東北大学大学院工学研究科
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
林 裕美
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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中川 宗克
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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中尾 慎一
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
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Ono Yasuhiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University
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林 裕美
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
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須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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小田 典明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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隣 真一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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冨岡 和弘
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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曽田 栄一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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野川 潤
NECエレクトロニクス(株)
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川島 由嗣
NECエレクトロニクス(株)
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林 遼
NECエレクトロニクス(株)
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斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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加藤 賢
(株)東芝セミコンダクター社
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大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中尾 慎一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
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渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
渡邊 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
著作論文
- 短TATシリル化ポーラス・シリカ(k=2.1)を用いた32nmノード対応Ultralow-k/Cuデュアルダマシン配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET
- 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
- 高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)